टीएमआर सेंसर चुंबक

TMR सेंसर का कुछ परिचय

TMR सेंसर एक युगांतरकारी मैग्नेटोरेसिस्टेंस इफेक्ट सेंसर है जिसे हाल के वर्षों में औद्योगिक अनुप्रयोगों में लागू किया गया है। TMRsensor में AMR और GMR सेंसर की तुलना में बहुत अधिक प्रतिरोध परिवर्तन दर है, इस प्रकार प्राप्त कई खूबियों में कम लागत और बिजली की खपत, उच्च प्रतिक्रिया आवृत्ति और संवेदनशीलता शामिल हैं। TMR सेंसर के व्यापक उपयोग के कारण Hongyu ने TMR सेंसर चुंबक में कुछ अनुभव भी एकत्र किया है।

टनलिंग मैग्नेटोरेसिस्टेंस इफेक्ट क्या है?

दो फेरोमैग्नेटिक लेयर्स और इंसुलेटिंग लेयर द्वारा बनाई गई सैंडविच संरचना को मैग्नेटिक टनल जंक्शन (MTJs) कहा जा सकता है। दो फेरोमैग्नेटिक परत के चुंबकीय क्षण के सापेक्ष अभिविन्यास को बदलते समय एमटीजे के टनलिंग मैग्नेटोरेसिस्टेंस को बदल दिया जाएगा, और इस घटना को टनलिंग मैगेटोरेसिस्टेंस (टीएमआर) प्रभाव के रूप में जाना जाता है। टीएमआर और जीएमआर घटक की संरचना मूल रूप से समान है, और टीएमआर और जीएमआर घटक की वर्तमान दिशा क्रमशः परत के समानांतर और समानांतर है।

पिन की गई परत की चुंबकीयकरण दिशा निश्चित है, और मुक्त परत की चुंबकीयकरण दिशा को बाहरी चुंबकीय क्षेत्र के अनुसार समायोजित किया जा सकता है, इसलिए, TMR घटक का विद्युत प्रतिरोध भी बदल जाएगा। टीएमआर घटक कम से कम प्रतिरोध दिखाता है जब मुक्त परत की चुंबकीयकरण दिशा पिन की गई परत के समानांतर होती है और फिर बाधा के माध्यम से उच्च-वर्तमान प्रवाह होता है। इसके बजाय, प्रतिरोध में काफी वृद्धि होगी जब चुंबकीयकरण दिशा विरोधी समानांतर, इस प्रकार बाधा के माध्यम से थोड़ा वर्तमान प्रवाह।

TMR सेंसर चुंबक के बारे में

Hongyu टीम ग्राहकों को विस्तृत तकनीकी विशिष्टताओं के अनुसार उपयुक्त TMR सेंसर चुनने में मदद करेगी, और प्रासंगिक ग्राहकों के साथ सहयोग करने के लिए तत्पर है।

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